彻底绕过光刻机！85后科学家研究成果可能价值千亿

4：36 刘博士自己都说了，自己的研究方向不一定对，也可能被全部推翻。 光是这种态度就值得赞赏。 科学从来都是在试错中前进。

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成功了，是知识储备。失败了，是经验储备。

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一旦涉及尖端科技，弹幕nt数量指数级上升，各种逆天层出不穷。

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打个广告，湖大本科就可以跟着刘渊老师做研究了[藏狐]

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只能说默默祝福，毕竟当年国外研究EUV极紫外光刻机探索了10到20年，几条方案同时研发，才有1个成功的，于是有了如今的5nm工艺。刘教授的垂直晶体管只能说一条研发方案，没人能保证成功。同时外国的EUV光刻机已经把弯路走完了，我们去追赶并不需要那么长的时间，即便如此3~5年内也很难达到国际顶尖水平

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别太激动，很多技术都只在实验室阶段，离投入应用还有距离，稳扎稳打的走，这边发展碳基、垂直，那边也要光刻机零部件跟进突破，争取早日把科技点点亮，掐断老美的垄断

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微电子专业 现在在代工厂做工程师 这个研究本身是有益的探索。 介绍也还算清晰。介绍青橙奖也很不错。 但是本讲留下几个问题：我们做小晶体管特征尺寸本质上一个主要目的是为了提高集成度，即在单位面积硅片内能做出更多的晶体管。 摩尔定律也说的是集成度。 这里虽然沟道轻松变小到5nm，沟道长度缩小也完全绕开光刻。然而这和集成没有啥关系呀？ （因为这里的薄膜沟道基本看来就是沉积或者热氧化一层栅氧化层，对于氧化工艺或沉积工艺，做50A=5nm其实相当容易） 视频里您自己也说了，这个项目接下来很重要的就是研究垂直结构晶体管的集成技术，否则在集成方面几乎毫无意义。 而要做集成，光是栅氧 栅极 源漏不用光刻，但其实半导体制造工艺不可能绕开光刻。比如各层次连线、打通孔要不要光刻图形化？各器件之间要不要做隔离？如果这些层次单元光刻图形化的特征尺寸无法缩小，那么仍然无法提高集成度（毕竟我们现在还造不出先进光刻机 刻蚀 淀积技术大多都还达不到） 这研究可能可以是有帮助的改进器件结构，但是我们不可能绕开先进光刻的。 我觉得我没有写清楚。。。就这样吧，可能我想的更多是工艺，老师更多想的是器件结构吧。我觉得老师讲得有点偏了，有些概念偏了混了。。。。[笑哭]

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垂直晶体管一看就知道比平面的更复杂，更难弄，可能规避一个麻烦，但是产生更大更多的麻烦，当然，作为科研探索还是可以的，只是很难有前景

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根据视频中介绍，这个研究实现了垂直方向的MOS结构，但是这与目前光刻机研究没有任何关联。二维平面方向的集成仍然依赖光刻机精度。而且这种超短沟道到会有各种复杂效应，比如说漏电流，punch-off等。 这个研究具有很强的前沿性，是未来的一个发展方向，但不是说研究出来就可以不依赖光刻机。

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当年鬼子也没在这片大地上找到石油，既然有了前车之鉴，又何必妄自菲薄。

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前几天我看到了青橙奖的获奖名单，其中包括来自湖南大学的刘渊教授，因为我本人的研究方向是半导体微纳加工，刘渊教授的获奖技术成果是垂直晶体管，这自然就引起了我的注意。今年4月份，《自然·电子学》杂志已经刊登了他最新的研究成果，1nm以下沟道长度的垂直晶体管构筑，用这种方式几乎可以完全绕过高精度光刻机。这项技术虽然还没有投入应用，但已经被认为是摩尔定律的下一个拯救者了。本期戴老师就和大家聊聊垂直晶体管。

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弹幕大牛们做科研的本事没有，冷嘲热讽泼冷水的本事不仅有，而且很大

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有阿里达摩院的支持？那我大胆预测一下未来的发展结果：垂直晶体管研究取得突破性进展以后，阿里高价收购技术专利，然后把这项专利永久封存，任何其它组织研究这项技术，都是侵权，会被阿里告的破产，结果垂直晶体管技术就像苏联3进制电脑一样，成为一个古老的传说

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不要想着弯道超车，这是违法自然规律的。 学术论文和工程实现是两码事。 UP主算行业人员的话，如果真的懂工艺的话，不应该只考虑晶体管的光刻，还有前道和后道的适配问题，晶体管做密了，BACKEND金属也需要同比例做密，否则怎么连出去？已经误导非专业群众了

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说句不客气的，这个离可用差太远了，搞材料的每年都有一百个灌水的人说可以绕开光刻机。。。阿里打个广告的奖，大家别太当真

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碳基芯片更好。继续幻想[doge]

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