半导体物理学【全42讲】【西安交通大学】【国家级精品课】

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Parts

  1. P1 · 1.1 半导体晶格结构和结合性质
  2. P2 · 1.2 半导体中的电子状态和能带
  3. P3 · 1.3 半导体中电子的运动 有效质量
  4. P4 · 1.4 本征半导体的导电机构 空穴
  5. P5 · 1.5 回旋共振
  6. P6 · 1.6 常见半导体的能带结构
  7. P7 · 2.1 半导体中的杂质能级
  8. P8 · 2.2 缺陷与缺陷能级
  9. P9 · 3.1 状态密度
  10. P10 · 3.2 费米能级和载流子的统计分布
  11. P11 · 3.3 本征半导体的载流子浓度
  12. P12 · 3.4 杂质半导体的载流子浓度
  13. P13 · 3.5 一般情况下的载流子统计分布
  14. P14 · 3.6 简并半导体
  15. P15 · 4.1 载流子的漂移运动和迁移率
  16. P16 · 4.2 载流子的散射
  17. P17 · 4.3 迁移率与杂质浓度和温度的关系
  18. P18 · 4.4 电阻率及其与杂质浓度和温度的关系
  19. P19 · 4.5 强电场下的效应、热载流子
  20. P20 · 4.6 多能谷散射、耿氏效应
  21. P21 · 5.1 非平衡载流子的注入与复合
  22. P22 · 5.2 非平衡载流子的寿命
  23. P23 · 5.3 准费米能级
  24. P24 · 5.4.1 复合理论（一）
  25. P25 · 5.4.2 复合理论（二）
  26. P26 · 5.5 载流子的扩散运动
  27. P27 · 5.6 载流子漂移扩散、爱因斯坦关系式
  28. P28 · 5.7 连续性方程式
  29. P29 · 6.1 pn结及其能带图
  30. P30 · 6.2 pn结电流电压特性
  31. P31 · 6.3 pn结电容
  32. P32 · 6.4 pn结击穿
  33. P33 · 7.1 金属半导体接触及其能级图
  34. P34 · 7.2 金属半导体接触整流理论
  35. P35 · 7.3 金半整流接触的电流电压模型
  36. P36 · 7.4 少数载流子的注入和欧姆接触
  37. P37 · 8.1 表面态
  38. P38 · 8.2.1 表面电场效应（上）
  39. P39 · 8.2.2 表面电场效应（下）
  40. P40 · 8.3 MIS结构的C-V特性
  41. P41 · 8.4 硅-二氧化硅系统的性质
  42. P42 · 8.5 表面电导及迁移率
Description 
来源：西安交通大学
主讲教师：李高明
原文发布时间：2026-06
通过学习本课程，学习者将全面了解和掌握半导体物理的基本知识和基础理论，为学习后续专业课程、阅读有关微电子领域的科技资料以及从事半导体及集成电路设计等技术研发工作奠定良好基础。