国产阻变存储器长啥样？｜中国科学院重大科研成果系列科普微视频

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Description 
阻变存储器 (RRAM)
在外部电压激励下，电阻值可以在高、低阻态之间转换，存储“0”和“1〞的存储器
 
阻变存储器（RRAM） 具有结构简单、速度快、功耗低、微缩性好等优点。有望解決28nm及以下集成电路先进节点非易失嵌入式存储技术缺失的难题。
 
中科院微电子研究所围绕RRAM微观机制、性能调控、集成技术和电路应用等基础难题和关键技术开展了系统研究，成功研制出世界最高集成密度的28nm RRAM嵌入式芯片和世界首款14nm RRAM嵌入式芯片。
 
中科院微电子研究所与国内头部芯片制造企业紧密合作，共同推动低功耗嵌入式RRAM存储技术的产业化，形成了我国自主可控的新型存储器根技术，有望打破外国厂商对存储器的垄断局面。