诗酒飘零__ 2022-06-28 三极管由于少数载流子的存储效应，深度饱和后恢复很慢。所以三极管作为开关管时开关速度很慢。mos管只靠多子导电，关断非常快，理论上只要你的驱动电路足够给力，能够克服寄生电容，频率可以非常非常高。 同样的，普通硅基二极管由于同时有电子和空穴参与导电，关断时空穴复合很慢，所以反向恢复时间很慢。而肖特基二极管只有电子参与导电，关断时电子很快就能被抽走，所以反向恢复时间非常短。 而有些时候会把一个肖特基二极管并联在三极管的基极和集电极上，以此来限制三极管的饱和深度，大大缩短了开关时间，而这便是74LS**（LS：低功耗肖特基）系列逻辑电路中字母“S”的来源。 ♥ 294 ↩ 18
工科男孙老师 2022-06-29 50秒到1分20秒处。 关于电动汽车，变频器内部的原理以及外部电机的介绍，视频中讲的并不严谨，采用了极度简化的方式。原因是如果按照严谨的表述方式，这一段会讲的非常冗长，而这期的重点是igbt，这一段主要想讲清楚开关这个思想在电路中的重要性。所以在严谨和通俗易懂之间我选择了通俗易懂。 ♥ 120 ↩ 3
不撸天天开心 2022-06-28 高压单独用MOS也不是不行，主要是高压MOS通导后的导通电阻必然大（你有钱当我没说[doge]），于是在IGBT的应用场景里，MOS的导通电阻产生的压降可能高达几伏甚至十几伏（电压=电流x电阻），而三极管BJT导通不是阻性的，再大的电流，压降也就那点（datasheet上看过MOS的导通电阻，但一般没BJT的导通电阻）。所以如果MOS上的压降大于BJT那就用BJT咯，然后组合起来就成了IGBT[doge]。个人感觉IGBT就是退而求其次的产物，本来大家都是用MOS“淘汰”BJT，但MOS杠不住了，又把BJT请回来。说到底就是想减少损耗，或许以后有其他开关器件了，IGBT也会像BJT遇到MOS那样吧~ ♥ 54 ↩ 4
毛毛那个熊 2022-07-02 高压大电流的碳化硅MOS管还是近几年才发展起来的，1200V/1700V的都有，但是相比于IGBT可以做到6500V/5000A这种，MOS管还是差老远。但是MOS的优势是开关频率可以做得很高，像这种3300V以上的IGBT，开关频率撑死也就，几百Hz，而同样1200V的大功率开关电源应用，碳化硅MOS可以做到几十上百kHz，IGBT撑死20k。而对于小功率应用，mos管都随随便便几百甚至MHz了 ♥ 14 ↩ 1
Wattle 2022-07-23 4:39，当单片机IO为低时，NMOS的漏极和PNP三极管的发射极电压是相同的，完全没有为NMOS的耐压问题减负，而是大大降低了NMOS的负载电流和发热。 其实IGBT缓解的问题是，MOS不能在耐高压的情况下实现低的导通阻抗，或者说在大电流低发热的情况下应用于高电压领域。 并不是因为单纯的MOS耐压做不高。 ♥ 4
Comments
眼一花看成“LGBT”
♥ 557 ↩ 39
三极管由于少数载流子的存储效应，深度饱和后恢复很慢。所以三极管作为开关管时开关速度很慢。mos管只靠多子导电，关断非常快，理论上只要你的驱动电路足够给力，能够克服寄生电容，频率可以非常非常高。 同样的，普通硅基二极管由于同时有电子和空穴参与导电，关断时空穴复合很慢，所以反向恢复时间很慢。而肖特基二极管只有电子参与导电，关断时电子很快就能被抽走，所以反向恢复时间非常短。 而有些时候会把一个肖特基二极管并联在三极管的基极和集电极上，以此来限制三极管的饱和深度，大大缩短了开关时间，而这便是74LS**（LS：低功耗肖特基）系列逻辑电路中字母“S”的来源。
♥ 294 ↩ 18
挺好奇为啥会有那么多人想听IGBT的介绍，其实大部分人都用不到这个东西。
♥ 264 ↩ 70
我以前的认知： 三极管是三极管 MOS管是三极管Pro IGBT是三极管Pro Max[doge]
♥ 233 ↩ 18
50秒到1分20秒处。 关于电动汽车，变频器内部的原理以及外部电机的介绍，视频中讲的并不严谨，采用了极度简化的方式。原因是如果按照严谨的表述方式，这一段会讲的非常冗长，而这期的重点是igbt，这一段主要想讲清楚开关这个思想在电路中的重要性。所以在严谨和通俗易懂之间我选择了通俗易懂。
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高压单独用MOS也不是不行，主要是高压MOS通导后的导通电阻必然大（你有钱当我没说[doge]），于是在IGBT的应用场景里，MOS的导通电阻产生的压降可能高达几伏甚至十几伏（电压=电流x电阻），而三极管BJT导通不是阻性的，再大的电流，压降也就那点（datasheet上看过MOS的导通电阻，但一般没BJT的导通电阻）。所以如果MOS上的压降大于BJT那就用BJT咯，然后组合起来就成了IGBT[doge]。个人感觉IGBT就是退而求其次的产物，本来大家都是用MOS“淘汰”BJT，但MOS杠不住了，又把BJT请回来。说到底就是想减少损耗，或许以后有其他开关器件了，IGBT也会像BJT遇到MOS那样吧~
♥ 54 ↩ 4
高压大电流的碳化硅MOS管还是近几年才发展起来的，1200V/1700V的都有，但是相比于IGBT可以做到6500V/5000A这种，MOS管还是差老远。但是MOS的优势是开关频率可以做得很高，像这种3300V以上的IGBT，开关频率撑死也就，几百Hz，而同样1200V的大功率开关电源应用，碳化硅MOS可以做到几十上百kHz，IGBT撑死20k。而对于小功率应用，mos管都随随便便几百甚至MHz了
♥ 14 ↩ 1
非常清晰，感谢！
♥ 12 ↩ 1
LGBTQIAPKDXR吗[doge]
♥ 10 ↩ 8
如果看不懂的话说明三极管和mos管没学好。
♥ 8 ↩ 3
很英俊的小伙，为啥头像像那个偷电动车的？
♥ 7 ↩ 2
4:39，当单片机IO为低时，NMOS的漏极和PNP三极管的发射极电压是相同的，完全没有为NMOS的耐压问题减负，而是大大降低了NMOS的负载电流和发热。 其实IGBT缓解的问题是，MOS不能在耐高压的情况下实现低的导通阻抗，或者说在大电流低发热的情况下应用于高电压领域。 并不是因为单纯的MOS耐压做不高。
♥ 4
[doge]我是非电路专业的，想入门电路设计，请教一下up，有哪些教材可以推荐一下吗
♥ 4 ↩ 7
老师，接下来能教我们如何做电池保护板吗[微笑]
♥ 3
01:48的电路图，nmos管应该接在负载下方吧。接在上方的，在高电平导通时，S极电位变高，Vgs变小，电路会出问题。记得你说过这方面的问题。
♥ 3 ↩ 5
长头发好看些。
♥ 3
屁佛！-乐扣如是说[doge]
♥ 3 ↩ 2
我现在看到这几个相似的字母都快ptsd了
♥ 2
我来，mosfet用于开关频率很高的场所，比如上百MHz，IGBT耐高压。
♥ 2 ↩ 2
碳化硅器件会替代igbt吗[思考]
♥ 2