造芯片，换一种材料行不行：第三代半导体与碳化硅【汽车芯片02】

哈哈，这回终于可以纠正up错误了，三代半导体并不能取代硅mos，导通电阻远大于硅，100v硅的国产hy可以做到5毫欧。氮化镓基本都在100毫欧，氮化镓主打高压高温，耐压主打100v到1000v，硅主打100v以下。三代半导体宽禁带也是有致命缺点的，栅电压要很高，用这个做集成电路功耗会爆炸，所以只能整功率器件

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立方氮化硼禁带宽度6.36V. 一般人：啊，这货禁带宽度这么宽，是个绝缘体。半导体材料学家：啊，超宽禁带半导体！

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[doge]半个多小时那么多播放量，有多少是在FAB值班摸鱼看的[吃瓜][吃瓜][吃瓜][吃瓜]

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我们就在做碳化硅衬底片。心累，长晶太难了。后端切磨抛，检测还得用国外设备。国产的真的是太烂了，各种不稳定。希望up主多做做碳化硅专题。

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沒有人在用沙子製造半導體吧 實際都是用 「石英礦」

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好像一个健身教练在讲芯片技术，甚是奇怪。。。。。。

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三圈能把wafer带出fab能量挺大啊[doge]

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昨天semicon刚看到的，真的挺漂亮的[doge]

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作为氮化镓行业从业者，我觉得从材料角度可以回答大部分人的疑问，第一氮化镓是异质外延，需要借助于其他衬底，而氮化镓同质外延成本高的离谱，如果这一块成本能做下来，氮化镓的市场要大的多。SIC属于同质外延，但是视频博主也重点提到目前缺陷问题也是比较大，目前氮化镓的异质外延的材料缺陷最好的也可以做到仅比SIC低一个数量级，而成本要低很多。如果真正的技术突破缺陷控制到与SIC一个级别，我相信是有机会在1700伏这个量级与SIC一较高下。第二缺陷在于热适配氮化镓散热确实差点，不过目前也有清晰的技术路线，通过剥离键合可以优化这一点，但是目前良率是个大问题。第三，高频是氮化镓的天然优势，频率上氮化镓随随便便都可以做到百K以上，这在电驱和电源上的应用优势太明显了，但是高频带来的散热问题和EMI在应用端确实比较难处理，RF射频类应用另说。总结，目前氮化镓把材料缺陷降下来，散热通过剥离键合处理好，未来高压市场也是可以试一下的，日本丰田不就在实验全车氮化镓的应用吗

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碳化硅不就是莫桑钻。。。[doge]？有杂质的掺杂碳化硅半透明，真正的无杂质碳化硅是纯透明的，折射率高色散率高于钻石，硬度只比钻石略低，因此合成碳硅石比钻石好看，硬度几乎没差，还便宜几十倍，是市场上非常强的钻石替代品[doge]

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6寸的碳化硅都看吐了[笑哭]想上二休二的可以来湖南泰科[妙啊]

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我就是sic外延设备工程师 入职一个月 就想跑路了 国产设备太烂了 工资还低[呲牙][呲牙]

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正在TOP100读Power electronics方向PhD的我来给大家科普一下。现在市面主流开关器件是IGBT和Si-MOS，硅基MOS一般用在高频「10k-100k」，中等功率的应用上，IGBT(以前还有GTO，晶闸管)主要用在中低频「100-20k」的大功率应用上。这主要是因为IGBT的耐压更高，并且他的导通损耗主要来自于导通压降(P=IV)，同时IGBT还有反向电流等会影响开关速度的问题；而MOS耐压更低，开关速度更快，但他的发热原理是开通电阻，所以不适合于大电流(P=IR^2)应用。SiC非常完美的解决了这两个问题，他有非常低的导通电阻，较大的耐压(但没有IGBT大），非常好的热特性，也有更快的开关速度，更低的寄生电容，他最大的问题就是贵，现在一个日本产的千伏级三相桥Si基IGBT模组(i.e.,6只IGBT)只需要几百日元，也就是几十块人民币，而SiC一只可能就要几十到几百人民币，成本是市场还会长期选择Si的最大原因。另外简单再谈一下GaN，之前实验室有不少同僚在用，也认识在北大搞GaN应用的PhD，GaN最大的问题有两点，第一非常贵(这里指高性能GaN)，第二GaN因为多数应用在超高频领域，他的驱动技术是个老大难，会经常遇到电路的EMI，寄生电容，浮游电感，软开关，误导通等一系列问题，另外GaN非常脆弱，你手碰一下可能就因为你身体的静电坏掉（虽然是低概率事件）。种种原因导致短期内GaN也无法取代硅，但GaN的赛道本来也是超高频领域，所以还算可以理解。作为搞工程的人，我也衷心希望今后的工艺和材料科学有所进步，人类可以用到安全可靠的高性能功率器件。

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现在的充电器体积小不是因为GaN的体积小，主要是开关频率上来后磁性器件的体积可以大幅缩小。当然GaN的导热能力强也很重要[脱单doge]

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三圈老师怎么看待光子芯片[doge]，我们团队搞这个的无一例外全都是转行的[吃瓜]

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可以求导一下上衣遮挡面积与播放量的函数关系[doge]

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想看胸肌碎晶圆

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我朋友说阁下去他们公司讲过课，我问讲的怎么样，他说讲的大家都知道，没什么用。

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这期看来是刚做完脱力组马上录的，为了保持最佳的充血状态花心思了。

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我们现在搞的是氧化稼[脱单doge]

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